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惠普憶阻器技術(shù)或?qū)⑷〈W存和DRAM

時間:2011年5月17日

  據(jù)國外媒體報道,惠普研發(fā)人員已經(jīng)在“憶阻器”下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破,一些人認為它可能會替代當今普遍應用的閃存和DRAM技術(shù)。

  惠普研發(fā)人員在周一《納米技術(shù)》雜志中提到,他們已經(jīng)掌握了電氣操作過程中“憶阻器”內(nèi)部發(fā)生變化時的基本化學性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。

  惠普高級研究員Stan Williams說,在此前,盡管工作的憶阻器已在實驗室制成,但是研發(fā)人員并不清楚在微小結(jié)構(gòu)內(nèi)部發(fā)生了什么。當惠普有信心可以將此項技術(shù)商業(yè)化時,這一發(fā)現(xiàn)將極大地提高計算機和內(nèi)存的性能。

  憶阻器最先是由加州大學一個教授提出來的。在此之前,研究人員只知道3個基本電路原件--電阻器,電容器和電感器。幾十年后,惠普的研發(fā)人員證明了憶阻器是真實存在的,并進一步證明其可以在2個或2個以上電阻之間來回切換,這將使得在數(shù)字運算時,他們可以代表1或0.有憶阻器的內(nèi)存類型叫做ReRAM,具有非易失性的特點。這意味著在電源關閉后設備可以保存這些數(shù)據(jù)。但對比DRAM,電源關閉后,存儲的數(shù)據(jù)會丟失。本文由服務器租用——海騰數(shù)據(jù)(http://www.lbzs888.com)提供。

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